HW30、IPP60R125C6、SIHB30N60E-GE3对比区别
型号 HW30 IPP60R125C6 SIHB30N60E-GE3
描述 Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD,Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Intertechnology Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-263-3
耗散功率 - 219W (Tc) 250 W
漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V
输入电容(Ciss) - 2127pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 219 W 250 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 219W (Tc) 250W (Tc)
极性 - N-Channel -
连续漏极电流(Ids) - 30A -
上升时间 - 12 ns -
下降时间 - 7 nS -
长度 - 10.36 mm 10.67 mm
宽度 - 15.95 mm 9.65 mm
高度 - 4.57 mm 4.83 mm
封装 - TO-220-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free