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IPP60R125C6

IPP60R125C6

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 30A


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3


力源芯城:
600V,30A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220


IPP60R125C6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 219W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2127pF @100VVds

额定功率Max 219 W

下降时间 7 nS

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 219W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP60R125C6引脚图与封装图
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在线购买IPP60R125C6
型号 制造商 描述 购买
IPP60R125C6 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPP60R125C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPP60R125C6

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220-3 N-Channel 600V 30A

当前型号

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： IPW60R125C6

品牌： 英飞凌

封装： TO-247-3 N-Channel 600V 30A

功能相似

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPP60R125C6和IPW60R125C6的区别

型号： HW30

品牌： Vishay Intertechnology

封装：

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 29A ID, 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD,

IPP60R125C6和HW30的区别