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MJH11017、MJH11017G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJH11017 MJH11017G

描述 15安培达林顿互补硅功率晶体管150〜250伏, 150瓦 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJH11017G  达林顿双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 SOT-93-3 TO-247-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -150 V -150 V

额定电流 -15.0 A -15.0 A

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 150 W 150 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V

集电极最大允许电流 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 400 @10A, 5V 400 @10A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 15000 15000

额定功率(Max) 150 W 150 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

频率 - 3 MHz

针脚数 - 4

直流电流增益(hFE) - 15000

耗散功率(Max) - 150000 mW

长度 15.2 mm 15.2 mm

宽度 4.9 mm 4.9 mm

高度 12.2 mm 12.2 mm

封装 SOT-93-3 TO-247-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 30 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99