PHE13007、ST13007D、MJE13007G对比区别

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型号 PHE13007 ST13007D MJE13007G

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 700 V - 400 V

额定电流 8.00 A - 8.00 A

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 8 @5A, 5V 5 @5A, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W 80 W

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 80 W 80 W

集电极最大允许电流 - 8A 8A

直流电流增益(hFE) - 8 4

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW 80000 mW

频率 - - 14 MHz

上升时间 - - 1.5 µs

热阻 - - 1.56℃/W (RθJC)

下降时间 - - 0.7 µs

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.28 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 15.75 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

ECCN代码 - EAR99 EAR99