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VND830SP-E、VND830SPTR-E、VND830SP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND830SP-E VND830SPTR-E VND830SP

描述 STMICROELECTRONICS  VND830SP-E  双路驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, SOIC-10VND830SP-E系列 36 V 7 mA 双通道 高边驱动器 - PowerSO-10双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器开关电源

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 12 12

封装 SOIC-10 PowerSO-10 PowerSO-10

电源电压(DC) 36.0V (max) - 36.0V (max)

输出接口数 2 2 2

输出电流 6 A 6 A -

供电电流 0.012 mA 0.012 mA 40.0 mA

针脚数 10 10 -

耗散功率 73.5 W 73.5 W -

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输入数 2 2 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 73500 mW 73500 mW -

电源电压 5.5V ~ 36V 5.5V ~ 36V 5.5V ~ 36V

电源电压(Max) 36 V 36 V -

电源电压(Min) 5.5 V 5.5 V -

输出电流(Min) - 9 A -

输入电压 - 13 V -

通道数 - - 2

漏源极电阻 - - 120 mΩ

封装 SOIC-10 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99