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2N4150S、JAN2N4150S、JANTXV2N4150对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4150S JAN2N4150S JANTXV2N4150

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 70V 10A To-39Trans GP BJT NPN 70V 10A 3Pin TO-5

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-39 TO-205 TO-5

击穿电压(集电极-发射极) - 70 V 70 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5A, 5V 40 @5A, 5V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

封装 TO-39 TO-205 TO-5

材质 - - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -