JANTXV2N4150
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N4150中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 70 V
最小电流放大倍数hFE 40 @5A, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N4150引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N4150
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N4150 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 70V 10A 3Pin TO-5 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N4150
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N4150 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 70V 10A 3Pin TO-5 | 当前型号 |
| 型号： JANS2N4150S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 功能相似 | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | JANTXV2N4150和JANS2N4150S的区别 |
| 型号： 2N4150S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N4150和2N4150S的区别 |