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IHW30N100R、IHW30N110R3、IHW30N110R3FKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IHW30N100R IHW30N110R3 IHW30N110R3FKSA1

描述 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diodeINFINEON  IHW30N110R3  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 引脚IHW30N110R3 系列 1100 V 30 A 通孔 反向传导 IGBT-PG-TO247-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - 333 W -

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 333 W 333 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 412 W 333 W 333000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1000 V - 1100 V

额定功率(Max) 412 W - 333 W

长度 - 16.13 mm 16.13 mm

宽度 - 5.21 mm 5.21 mm

高度 - 21.1 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99