IHW30N100R
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IHW30N100R中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1000 V
额定功率Max 412 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 412 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IHW30N100R引脚图与封装图
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在线购买IHW30N100R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IHW30N100R | Infineon 英飞凌 | 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode | 搜索库存 |
替代型号IHW30N100R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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