SI4563DY-T1-E3、SI4564DY-T1-GE3对比区别
型号 SI4563DY-T1-E3 SI4564DY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4563DY-T1-E3 晶体管, 双N&P沟道N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.016 Ω 0.0145 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W 3.1 W
阈值电压 2 V 800 mV
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.1 W
长度 4.9 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm
高度 1.75 mm 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃