SI4563DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4563DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4563DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4563DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4563DY-T1-E3 晶体管, 双N&P沟道 | 搜索库存 |
替代型号SI4563DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI4563DY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 40V 8A | 当前型号 | VISHAY SI4563DY-T1-E3 晶体管, 双N&P沟道 | 当前型号 |
| 型号： SI4564DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel | 功能相似 | N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SI4563DY-T1-E3和SI4564DY-T1-GE3的区别 |