IRF3205L、IRF3205LPBF对比区别

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型号 IRF3205L IRF3205LPBF

描述 TO-262 N-CH 55V 110AINFINEON  IRF3205LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 200W (Tc) 200 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A

输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)

额定功率 - 200 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.008 Ω

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 3247pF @25V

漏源击穿电压 - 55 V

上升时间 - 101 ns

下降时间 - 65 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99