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IRF3205L
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 55V 110A

通孔 N 通道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A TO262


IRF3205L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 3247pF @25VVds

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IRF3205L引脚图与封装图
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IRF3205L Infineon 英飞凌 TO-262 N-CH 55V 110A 搜索库存
替代型号IRF3205L
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型号: IRF3205L

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262 N-CH 55V 110A

当前型号

TO-262 N-CH 55V 110A

当前型号

型号: IRF3205LPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-262 N-Channel 55V 110A

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