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BD245B-S、BD651、MJ21193G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD245B-S BD651 MJ21193G

描述 SOT-93 NPN 80V 10ANPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONSON SEMICONDUCTOR  MJ21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管电流滤波器件双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-218-3 TO-220-3 TO-204-2

频率 - - 4 MHz

额定电压(DC) - - -250 V

额定电流 - - -16.0 A

针脚数 - - 3

极性 NPN - PNP, P-Channel

耗散功率 - - 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 250 V

热阻 - - 0.7℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 10A - 16A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @3A, 4V 750 25 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

额定功率(Max) 3 W - 250 W

直流电流增益(hFE) - - 75

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW - 250000 mW

长度 - 10.4 mm 39.37 mm

宽度 - 4.7 mm 26.67 mm

高度 - 9.3 mm 8.51 mm

封装 TO-218-3 TO-220-3 TO-204-2

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99