STB28N65M2、STP28N65M2、TK20E60U对比区别

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型号 STB28N65M2 STP28N65M2 TK20E60U

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.19 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 170 W 170 W 190 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20A - 20A

上升时间 10 ns 10 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) 1440pF @100V(Vds) -

下降时间 8.8 ns 8.8 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) -

输入电容 - 1440 pF -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 4.6 mm -

高度 4.6 mm 15.75 mm -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 - - NLR