BSS84PH6327XTSA2、BSS84PH6433XTMA1、TP0610K-T1-GE3对比区别

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型号 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 TP0610K-T1-GE3

描述 INFINEON  BSS84PH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 VInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能VISHAY  TP0610K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 8 Ω 5.8 Ω 10 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 360 mW 360 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -60.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.17A 0.17A -185 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360mW (Ta) 0.35 W

上升时间 16.2 ns 16.2 ns -

输入电容(Ciss) 15pF @25V(Vds) 19pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 360 mW -

下降时间 20.5 ns 20.5 ns -

额定功率 0.36 W - -

通道数 1 - -

阈值电压 1.5 V - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1.1 mm 1 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -