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TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  TP0610K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V

The is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors and memories drivers.

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Low ON-resistance
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High-side switching
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Low threshold
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20ns Fast switching speed
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20pF low input capacitance
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2000V ESD protection
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Halogen-free
TP0610K-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 10 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -185 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

TP0610K-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TP0610K-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  TP0610K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V 搜索库存
替代型号TP0610K-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TP0610K-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-23 P-Channel -60V -185mA

当前型号

VISHAY  TP0610K-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V

当前型号

型号: TP0610K-T1-E3

品牌: 威世

封装: TO-236 P-Channel -60V -185mA 10ohms

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TP0610K-T1-GE3和TP0610K-T1-E3的区别

型号: BSS84PH6327XTSA2

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 P-Channel 60V 0.17A

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