APT60M75JVR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT60M75JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 62.0 A
极性 N-CH
耗散功率 700W Tc
输入电容 19.8 nF
栅电荷 1.05 µC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 62.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 19800pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT60M75JVR引脚图与封装图
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在线购买APT60M75JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT60M75JVR | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 600V 62A | 搜索库存 |
替代型号APT60M75JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT60M75JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 600V 62A 19.8nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 600V 62A | 当前型号 |
| 型号： IXFN60N60 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 600V 60A 75mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V | APT60M75JVR和IXFN60N60的区别 |
| 型号： IXKN40N60C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-CH 600V 40A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 600V 40A | APT60M75JVR和IXKN40N60C的区别 |