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BC338-25ZL1G、BC33825、BC338-25ZL1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC338-25ZL1G BC33825 BC338-25ZL1

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon开关和放大器应用 SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V

额定电流 800 mA - 800 mA

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 25 V - 25 V

集电极最大允许电流 0.8A - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V - 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

耗散功率 625 mW - -

增益频宽积 210 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-226-3 TO-92 TO-226-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead