SN74V263-7PZA、SN74V263PZAEP、SN74V263-6PZA对比区别

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型号 SN74V263-7PZA SN74V263PZAEP SN74V263-6PZA

描述 8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIESFIFO（先进先出）存储器，Texas Instruments (WO)### FIFO（先进先出）存储器8192 】 18 ， 16384 】 18 ， 32768 】 18 ：65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FIFOFIFOFIFO

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 80 80 80

封装 LQFP-80 LQFP-80 LQFP-80

频率 133 MHz 133 MHz 166 MHz

电源电压(DC) 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

供电电流 - 35 mA 35 mA

电路数 - 2 2

时钟频率 133MHz (max) 133 MHz 166MHz (max)

电压波节 3.30 V 3.30 V 3.30 V

存取时间 5 ns 5 ns 4.5 ns

输出电流驱动 -250 µA -250 µA -250 µA

存取时间(Max) 5 ns 5 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -55 ℃ 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - 3.45 V 3.45 V

电源电压(Min) - 3.15 V 3.15 V

内存容量 18000 B - 18000 B

长度 - 14 mm -

宽度 - 14 mm 14 mm

高度 1.45 mm 1.4 mm 1.4 mm

封装 LQFP-80 LQFP-80 LQFP-80

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.b EAR99