IPI030N10N3GHKSA1、IPI030N10N3GXKSA1对比区别

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型号 IPI030N10N3GHKSA1 IPI030N10N3GXKSA1

描述 TO-262 N-CH 100V 100AN沟道 100V 100A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A

上升时间 58 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 14800pF @50V(Vds) 14800pF @50V(Vds)

下降时间 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定功率 - 300 W

通道数 - 1

额定功率(Max) - 300 W

封装 TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10.2 mm

宽度 - 4.5 mm

高度 - 9.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅