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IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 100V 100A

通孔 N 通道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3


立创商城:
N沟道 100V 100A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A


IPI030N10N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 14800pF @50VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPI030N10N3GXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 N沟道 100V 100A 搜索库存
替代型号IPI030N10N3GXKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPI030N10N3GXKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262-3 N-CH 100V 100A

当前型号

N沟道 100V 100A

当前型号

型号: IPI030N10N3GHKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-262 N-CH 100V 100A

完全替代

TO-262 N-CH 100V 100A

IPI030N10N3GXKSA1和IPI030N10N3GHKSA1的区别