2N3859A、MPS6560G、2N4400BU对比区别
描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier音频晶体管NPN硅 Audio Transistor NPN Silicon双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
额定电压(DC) 60.0 V 25.0 V 40.0 V
额定电流 500 A 500 mA 600 mA
极性 N-Channel, NPN N-Channel NPN
耗散功率 - 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 25 V 40 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 1V 50 @500mA, 1V 50 @150mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 150
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
长度 - - 4.7 mm
宽度 - - 3.93 mm
高度 - - 4.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99