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IPS50R520CP、STP9NM50N、STD9NM50N-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS50R520CP STP9NM50N STD9NM50N-1

描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorN沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ?功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFETN沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ?功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh? Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-251-3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 66 W 70W (Tc) 70W (Tc)

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 7.10 A 7.5A -

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 680pF @100V(Vds) 570pF @50V(Vds) 570pF @50V(Vds)

下降时间 17 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 66W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

长度 6.73 mm - -

宽度 2.38 mm - -

高度 6.22 mm - -

封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free