IPS50R520CP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPS50R520CP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 7.10 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 680pF @100VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPS50R520CP引脚图与封装图
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在线购买IPS50R520CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPS50R520CP | Infineon 英飞凌 | 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPS50R520CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPS50R520CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： IPAK-3 N-Channel 500V 7.1A | 当前型号 | 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： STP9NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 500V 7.5A | 功能相似 | N沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代的MDmesh ？功率MOSFET N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET | IPS50R520CP和STP9NM50N的区别 |