IPP60R160C6、IPW60R160C6对比区别
描述 INFINEON IPP60R160C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPW60R160C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.14 Ω 0.14 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 176 W 176 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 23.8A 23.8A
上升时间 13 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 1660pF @100V(Vds) 1660pF @100V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 176W (Tc) 176W (Tc)
额定功率(Max) 176 W -
长度 10.36 mm 16.13 mm
宽度 4.57 mm 5.21 mm
高度 15.95 mm 21.1 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR -