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IPW60R160C6

IPW60R160C6

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPW60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL


立创商城:
IPW60R160C6


e络盟:
# INFINEON  IPW60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**CoolMOS 600V 23A 160mOhm TO247 **


力源芯城:
600V,23.8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247


IPW60R160C6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 176 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 23.8A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1660pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPW60R160C6引脚图与封装图
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在线购买IPW60R160C6
型号 制造商 描述 购买
IPW60R160C6 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPW60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPW60R160C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPW60R160C6

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 600V 23.8A

当前型号

INFINEON  IPW60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IPP60R160C6

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-3 N-Channel 600V 23.8A

完全替代

INFINEON  IPP60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

IPW60R160C6和IPP60R160C6的区别