KSH122ITU、MJD122-1、MJD122I对比区别

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型号 KSH122ITU MJD122-1 MJD122I

描述 NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor互补功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORSPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 8.00 A - -

额定功率 1.75 W - -

极性 NPN - -

耗散功率 1.75 W 1.75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 8A - -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V -

额定功率(Max) 1.75 W 20 W -

直流电流增益(hFE) 1000 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 2.3 mm 2.4 mm -

高度 6.1 mm 7.2 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -