KSH122ITU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH122ITU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
额定功率 1.75 W
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 2.3 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSH122ITU引脚图与封装图
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在线购买KSH122ITU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSH122ITU | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor | 搜索库存 |
替代型号KSH122ITU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH122ITU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251-3 NPN 100V 8A 1750mW | 当前型号 | NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor | 当前型号 |
| 型号： MJD122-1 品牌： 意法半导体 封装： TO-251-3 1750mW | 功能相似 | 互补功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS | KSH122ITU和MJD122-1的区别 |
| 型号： KSH122-I 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications | KSH122ITU和KSH122-I的区别 |