APT20M34BLLG、STW75NF20、IXFH58N20对比区别

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型号 APT20M34BLLG STW75NF20 IXFH58N20

描述 TO-247 N-CH 200V 74ASTMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH58N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 74.0 A - 58.0 A

额定功率 - - 300 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.028 Ω 0.04 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 403 W 190 W 300 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 74.0 A 47.0 A, 75.0 A 58.0 A

上升时间 - 33 ns 15 ns

输入电容(Ciss) - 3260pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 190 W 300 W

下降时间 - 29 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 3.66 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 200 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99