FQPF33N10、STP80NF10、PSMN027-100XS,127对比区别

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型号 FQPF33N10 STP80NF10 PSMN027-100XS,127

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220F N-CH 100V 23.4A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 41 W 300 W 41.1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 80.0 A 23.4A

上升时间 195 ns 80 ns 8.5 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1624pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 41 W 300 W 41.1 W

下降时间 110 ns 60 ns 9.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 41W (Tc) 300W (Tc) 41.1W (Tc)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 18.0 A 80.0 A -

额定功率 - 300 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 52.0 mΩ 0.012 Ω -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 5500 pF -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.36 mm 10.4 mm -

宽度 4.9 mm 4.6 mm -

高度 16.07 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -