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BC847ALT1G、BC847BTT1G、BCW71,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847ALT1G BC847BTT1G BCW71,215

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFENXP  BCW71,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 200 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 200 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 100 450 90

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

长度 3.04 mm 1.8 mm -

宽度 2.64 mm 0.8 mm -

高度 1.11 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -