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JAN1N3595US、JANS1N3595US、JANTX1N3595US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N3595US JANS1N3595US JANTX1N3595US

描述 Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELFDiode Switching 0.2A 2Pin DO-35Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-35-2 A-Package-2 B-MELF

正向电压 1 V 1V @200mA 1V @200mA

反向恢复时间 3000 ns 3 µs 3000 ns

正向电流 150 mA 200 mA 150 mA

正向电压(Max) - 1V @200mA -

正向电流(Max) 0.15 A 200 mA 0.15 A

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

长度 4.57 mm 5.21 mm -

封装 DO-35-2 A-Package-2 B-MELF

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -