JAN1N3595US
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN1N3595US中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1 V
反向恢复时间 3000 ns
正向电流 150 mA
正向电流Max 0.15 A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.57 mm
封装 DO-35-2
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JAN1N3595US引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN1N3595US
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N3595US | Microsemi 美高森美 | Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF | 搜索库存 |
替代型号JAN1N3595US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N3595US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35-2 | 当前型号 | Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF | 当前型号 |
| 型号： JANTXV1N3595US 品牌： 美高森美 封装： B_SQ._MELF | 完全替代 | Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF | JAN1N3595US和JANTXV1N3595US的区别 |
| 型号： JANS1N3595US 品牌： 美高森美 封装： DO | 功能相似 | Diode Switching 0.2A 2Pin DO-35 | JAN1N3595US和JANS1N3595US的区别 |
| 型号： JANTX1N3595US 品牌： 美高森美 封装： SQ-MELF | 功能相似 | Diode Switching 0.2A 2Pin B-MELF | JAN1N3595US和JANTX1N3595US的区别 |