锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLV2622IDG4、TLV2622IDR、TLV2622ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2622IDG4 TLV2622IDR TLV2622ID

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 28mA @5V - -

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.71 W 710 mW 0.71 W

共模抑制比 78 dB 78 dB 78 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 11.0 MHz

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 3.5 mV 3.5 mV 250 µV

输入偏置电流 2 pA 0.05 nA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

增益带宽 11 MHz 11 MHz 11 MHz

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 78 dB 78 dB 78 dB

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free