RMW130N03TB、RS1E130GNTB对比区别

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型号 RMW130N03TB RS1E130GNTB

描述 PSOP N-CH 30V 13AHSOP N-CH 30V 13A

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SMD-8 HSOP-8

通道数 1 1

漏源极电阻 17.7 mΩ -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3 W 3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 13A 13A

上升时间 35 ns 4.3 ns

输入电容(Ciss) 650pF @15V(Vds) 420pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W -

下降时间 8 ns 3.1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc)

阈值电压 - 2.5 V

封装 SMD-8 HSOP-8

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free