RMW130N03TB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 17.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 650pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
封装 SMD-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RMW130N03TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PSOP N-CH 30V 13A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RMW130N03TB 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: 8-SMD N-CH 30V 13A | 当前型号 | PSOP N-CH 30V 13A | 当前型号 | |
型号: RS1E130GNTB 品牌: 罗姆半导体 封装: HSOP-8 N-CH 30V 13A | 功能相似 | HSOP N-CH 30V 13A | RMW130N03TB和RS1E130GNTB的区别 |