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1N5235B-TR、JANS1N6320、1N754ARR1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5235B-TR JANS1N6320 1N754ARR1

描述 齐纳二极管 500mW,1N52xx 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor500mW的齐纳二极管 500mW ZENER DIODESDiode Zener Single 6.8V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 ±5 % ±5 % -

击穿电压 6.80 V - -

正向电压 1.1V @200mA 1.4V @1A -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

稳压电流 20 mA - -

正向电压(Max) 1.1V @200mA - -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW - -

长度 3.9 mm 5.08 mm -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray -

最小包装 10000 - -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -