容差 ±5 %
击穿电压 6.80 V
正向电压 1.1V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 6.8 V
稳压电流 20 mA
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
长度 3.9 mm
封装 DO-35
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
1N5235B-TR引脚图
1N5235B-TR封装图
1N5235B-TR封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5235B-TR | VISHAY 威世 | 齐纳二极管 500mW，1N52xx 系列，Vishay Semiconductor ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5235B-TR 品牌： VISHAY 威世 封装： DO-35 6.8V | 当前型号 | 齐纳二极管 500mW，1N52xx 系列，Vishay Semiconductor### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 1N5235BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 6.8V | 功能相似 | 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | 1N5235B-TR和1N5235BTR的区别 |
| 型号： JANS1N6320 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 功能相似 | 500mW的齐纳二极管 500mW ZENER DIODES | 1N5235B-TR和JANS1N6320的区别 |
| 型号： 1N754ARR1 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Diode Zener Single 6.8V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 T/R | 1N5235B-TR和1N754ARR1的区别 |
