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BC327-16BK、BCW68GLT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-16BK BCW68GLT3G

描述 General Purpose Si-Epitaxial Planar PNP TransistorsNPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-23-3

频率 - 100 MHz

极性 - PNP

耗散功率 - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

集电极最大允许电流 - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 120 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW

长度 - 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm

高度 - 1.11 mm

封装 - SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99