NTGS4111PT1G、RSQ025P03TR、NTGS4111PT1对比区别

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型号 NTGS4111PT1G RSQ025P03TR NTGS4111PT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOPTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin TSMT T/R功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -4.70 A -2.50 A -3.70 A

漏源极电阻 60 mΩ 145 mΩ 68.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 630mW (Ta)

输入电容 - - 750 pF

栅电荷 - - 32.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 2.50 A 3.70 A

输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) 320pF @10V(Vds) 750pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 630mW (Ta) 1.25W (Ta) 630mW (Ta)

通道数 1 1 -

针脚数 6 - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

额定功率(Max) 630 mW 1.25 W -

下降时间 22 ns 11 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

上升时间 - 11 ns -

封装 SOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

长度 3.1 mm 2.9 mm -

宽度 1.5 mm 1.6 mm -

高度 1 mm 0.85 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -