RSQ025P03TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSQ025P03TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 145 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 320pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSQ025P03TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RSQ025P03TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSQ025P03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin TSMT T/R | 搜索库存 |
替代型号RSQ025P03TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSQ025P03TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT6 P-Channel 30V 2.5A 145mΩ | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin TSMT T/R | 当前型号 |
| 型号： NTGS4111PT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel -30V 4.7A 68mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP | RSQ025P03TR和NTGS4111PT1G的区别 |
| 型号： NTGS3455T1G 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel -30V 3.5A 100mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTGS3455T1G MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -30 V, 0.094 ohm, -10 V, -1.87 V 新 | RSQ025P03TR和NTGS3455T1G的区别 |
| 型号： ZXMP3A17E6TA 品牌： 美台 封装： SOT-23-6 P-Channel 30V 3.2A 110mΩ | 功能相似 | ZXMP3A17E6TA 编带 | RSQ025P03TR和ZXMP3A17E6TA的区别 |