TLV2422QDRG4Q1、TLV2422QDRQ1、TS462CDT对比区别

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型号 TLV2422QDRG4Q1 TLV2422QDRQ1 TS462CDT

描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS46 系列 低压 SO 8 双通道 输出 轨对轨 运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 100 µA 2 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 725 mW -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 12 MHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 4.00 V/μs

增益频宽积 52 kHz 52 kHz 12 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 1 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 200 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

工作电压 - - 2.7V ~ 10V

针脚数 - - 8

共模抑制比 70dB ~ 83dB - 85 dB

增益带宽 - - 12 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB - 60 dB

电源电压 - - 2.7V ~ 10V

耗散功率(Max) 725 mW - -

电源电压(Max) 10 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -20℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99