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2SD526、MJE18006、MJF18004对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD526 MJE18006 MJF18004

描述 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)功率晶体管 POWER TRANSISTORNPN双极型功率晶体管开关电源的应用 NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 450 V 450 V

额定电流 - 8.00 A 5.00 A

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 450 V 450 V

集电极最大允许电流 - 6A 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 6 @3A, 1V 14 @300mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 34

额定功率(Max) - 100 W 35 W

封装 - TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead