BD679AG、BD679ASTU、BD679AS对比区别
描述 NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 40 W 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 4A 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V
额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) 750 750 750
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 40 W 40000 mW
无卤素状态 Halogen Free - -
针脚数 3 - -
额定功率 - 40 W -
长度 7.74 mm 8 mm 8 mm
宽度 2.66 mm 3.25 mm 3.25 mm
高度 11.04 mm 11 mm 11.2 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Rail Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99