锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TL072BCDT、TL082BCDT、TL082BCD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL072BCDT TL082BCDT TL082BCD

描述 低噪声JFET双通道运算放大器 Low noise JFET dual operational amplifiers通用JFET双通道运算放大器 General purpose JFET dual operational amplifiersTEXAS INSTRUMENTS  TL082BCD  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 80 dB 86 dB 75 dB

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 3 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 5 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 4 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) - 680 mW 680 mW

共模抑制比(Min) - 80 dB 75 dB

电源电压(Max) 36 V 36 V 36 V

电源电压(Min) 6 V 6 V 7 V

电源电压(DC) - - 15.0 V

针脚数 - - 8

耗散功率 680 mW - 0.68 W

输入补偿漂移 - - 18.0 µV/K

带宽 - - 3 MHz

转换速率 13.0 V/μs - 13.0 V/μs

电源电压 - - 7V ~ 36V

宽度 4 mm 3.9 mm 3.91 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

高度 1.65 mm - 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -