STD16NF25、STD18N55M5、IRFR15N20DPBF对比区别

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型号 STD16NF25 STD18N55M5 IRFR15N20DPBF

描述 STD16NF25 系列 N 沟道 250 V 0.235 Ohm STripFET II 功率 MosFet - TO-252-3STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道 200V 17A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.195 Ω 0.18 Ω 0.165 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 85 W 90 W 3 W

阈值电压 3 V 4 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 550 V 200 V

漏源击穿电压 - 550 V -

连续漏极电流(Ids) 14A 16A 17.0 A

上升时间 17 ns 9.5 ns 32.0 ns

输入电容(Ciss) 680pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 910pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 90 W 3 W

下降时间 17 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 110W (Tc) -

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 17.0 A

产品系列 - - IRFR15N20D

输入电容 - - 910pF @25V

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm 2.26 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -