SPP08N50C3、SPP08N80C3、SPB20N60C3对比区别
型号 SPP08N50C3 SPP08N80C3 SPB20N60C3
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 560 V 800 V 650 V
额定电流 7.60 A 8.00 A 20.7 A
额定功率 - 104 W 208 W
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 600 mΩ 0.56 Ω 190 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 104 W 208 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - - 4.50 nF
漏源极电压(Vds) 560 V 800 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7.60 A 8.00 A 20.7 A
上升时间 5 ns 15 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 83 W 104 W 208 W
下降时间 7 ns 7 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 83 W 104W (Tc) 208W (Tc)
漏源击穿电压 560 V - -
长度 10 mm 10.36 mm 10.31 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 9.25 mm
高度 15.65 mm 15.95 mm 4.57 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99