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SPB20N60C3

SPB20N60C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 20.7A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK


欧时:
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3


儒卓力:
**N-CH 600V 20A 190mOhm TO263-3 **


力源芯城:
600V,20.7A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK


SPB20N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

额定功率 208 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 4.50 nF

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPB20N60C3引脚图与封装图
SPB20N60C3引脚图

SPB20N60C3引脚图

SPB20N60C3封装焊盘图

SPB20N60C3封装焊盘图

在线购买SPB20N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPB20N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPB20N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPB20N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO263-3 N-Channel 650V 20.7A 4.5nF

当前型号

INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPW20N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

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型号： SPU02N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO251-3 N-Channel 650V 1.8A 200pF

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品牌： 英飞凌

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