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CY7C1370DV25-200BZC、CY7C1370DV25-200BZCT、CY7C1370KV25-200BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370DV25-200BZC CY7C1370DV25-200BZCT CY7C1370KV25-200BZC

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ ArchitectureSRAM Chip Sync Quad 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165Pin FBGA T/R静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 - 165

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

位数 36 - 36

存取时间 3 ns - 3 ns

存取时间(Max) 3 ns - 3.2 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free